[发明专利]利用工程化衬底结构实施的功率器件和RF器件在审
| 申请号： | 201880082269.5 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN111566827A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫;杰姆·巴斯切里;奥兹古·阿克塔斯;莎丽·法伦斯 | 申请（专利权）人： | 克罗米斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/30;H01L21/46;H01L21/683;H01L21/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 景怀宇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电子器件包括支撑结构，该支撑结构包括：多晶陶瓷芯、耦合至所述多晶陶瓷芯的第一粘附层、耦合至所述第一粘附层的导电层、耦合至所述导电层的第二粘附层、以及耦合至所述第二粘附层的阻挡层。所述电子器件还包括：耦合至所述支撑结构的缓冲层、耦合至所述缓冲层的接触层、以及耦合至所述接触层的场效应晶体管(FET)。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 工程 衬底 结构 实施 功率 器件 rf | ||
【主权项】：
暂无信息
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