[发明专利]掩埋活化p-(Al,In)GaN层有效
| 申请号： | 201880082533.5 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN111512451B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 伊恩·曼;萨蒂亚纳拉扬·巴利克;乔舒亚·大卫·布朗;刘丹钰 | 申请（专利权）人： | 盖利姆企业私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;洪欣 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
用于制造包括活化p‑(Al,In)GaN层的半导体器件的方法包括：在不会使p‑(Al,In)GaN层钝化的条件下将p‑(Al,In)GaN层暴露于H |
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| 搜索关键词： | 掩埋 活化 al in gan | ||
【主权项】：
暂无信息
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