[发明专利]气相生长装置的污染管理方法和外延晶片的制备方法在审
| 申请号： | 201880082949.7 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111542911A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 木瀬翔太 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/24;C23C16/44;C30B25/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的气相生长装置的污染管理方法包括：将污染评价用晶片搬入至气相生长装置的腔室的内部的晶片搬入工序；在1190℃以上的热处理温度下以30slm以下的氢流量热处理所述污染评价用晶片的热处理工序；从所述腔室的内部搬出所述污染评价用晶片的晶片搬出工序；和评价所述污染评价用晶片的金属污染度的晶片污染评价工序。本发明的外延晶片的制备方法是使用通过该污染管理方法进行污染管理的气相生长装置进行外延生长的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 相生 装置 污染 管理 方法 外延 晶片 制备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
