[发明专利]磁场施加偏置膜及使用其的磁检测元件及磁检测装置有效
| 申请号： | 201880083089.9 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111512172B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 斋藤正路 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯阿尔派株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;H01F10/30;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘文海 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有强磁场耐受性的磁场施加偏置膜(11)具备交换耦合膜(10)，该交换耦合膜(10)具有强磁性层(3)和层叠于强磁性层(3)的反强磁性层(4)，反强磁性层(4)具备X(Cr‑Mn)层，该X(Cr‑Mn)层含有Mn和Cr、以及选自包括铂族元素和Ni的组中的一种或两种以上的元素X，X(Cr‑Mn)层具有距强磁性层(3)相对较近的第一区域(R1)和距强磁性层(3)相对较远的第二区域(R2)，第一区域(R1)中的Mn的含量比第二区域(R2)中的Mn的含量高。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 施加 偏置 使用 检测 元件 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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