[发明专利]针对原位电磁感应监测的边缘重建中的基板掺杂的补偿在审
| 申请号： | 201880083574.6 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN111886686A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | D·A·伊万诺夫;许昆;D·M·盖奇;H·Q·李;H·G·伊拉瓦尼;D·E·本内特;K·L·什里斯塔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;B24B1/00;H01L21/30;H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种通过原位电磁感应监测系统补偿半导体晶片的电导率对测得迹线的贡献的方法包括存储或产生经修改的参考迹线。经修改的参考迹线表示通过神经网络修改的由原位电磁感应监测系统对裸掺杂的参考半导体晶片的测量。通过原位电磁感应监测系统来监测基板，以产生取决于导电层的厚度的测得迹线，且将测得迹线的至少一部分应用于神经网络以产生经修改的测得迹线。产生经调整迹线，包括自经修改的测得迹线减去经修改的参考迹线。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 原位 电磁感应 监测 边缘 重建 中的 掺杂 补偿 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
