[发明专利]隧道磁阻效应膜以及使用其的磁装置在审
| 申请号： | 201880083967.7 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111512455A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 斋藤正路;小池文人 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯阿尔派株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01F10/32;H01L21/8239;H01L27/105;H01L43/10;G01B7/00;G01R33/09;H01F10/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 即使在高温环境、高磁场环境等中，也能够适当地动作的隧道磁阻效应(TMR)元件11，具备具有固定磁性层3的至少一部分即第1强磁性层31和在第1强磁性层31层叠的反强磁性层2的交换耦合膜10，反强磁性层2具备X(Cr‑Mn)层，该X(Cr‑Mn)层含有从由铂族元素以及Ni构成的组中选择的一种或者两种以上元素X、以及Mn及C，X(Cr‑Mn)层具有：距第1强磁性层31相对较近的第1区域R1、和距第1强磁性层31相对较远的第2区域R2，第1区域R1中的Mn含有量高于第2区域R2中的Mn含有量。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 磁阻 效应 以及 使用 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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