[发明专利]通过使用可分离结构来转移层的方法有效
| 申请号： | 201880084209.7 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111527590B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | M·布鲁尔 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78;H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 相迎军;王小东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于从可分离结构(100)转移表层的方法，该方法包括以下步骤：a)供应可分离结构(100)，该可分离结构(100)包括：·支撑基底(10)；·可分离层(20)，该可分离层(20)沿着主平面(x，y)布置在支撑基底(10)上并且包括彼此分开的多个壁(21)，各个壁(21)具有垂直于主平面(x，y)的至少一个侧面；·表层(30)，该表层(30)沿着主平面(x，y)布置在可分离层(20)上；b)施加机械力，该机械力被配置成致使所述壁(21)沿着所述侧面的割线方向弯曲，直到致使壁(21)机械断裂为止，以便使表层(30)从支撑基底(10)分离。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 使用 可分离 结构 转移 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索泰克公司，未经索泰克公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880084209.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：利用超声波的医用三维线制造方法及制造装置
- 下一篇：热水垫和灭菌模块
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
