[发明专利]半导体装置、其制造方法和电子设备在审
| 申请号： | 201880084219.0 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111602236A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 斋藤卓;藤井宣年;羽根田雅希;长畑和典 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本技术涉及：半导体装置，其中，无论金属布线的布局如何而能够将气隙结构形成在任何区域中；该半导体装置的制造方法；和电子设备。根据本发明，半导体装置如此配置：包括金属膜的第一布线层和第二布线层层叠，用于防止金属膜扩散的防扩散膜处于第一布线层和第二布线层之间；防扩散膜是通过将第二膜埋入形成于第一膜中的多个孔中而构成的；至少第一布线层包括金属膜、气隙和在气隙的内周面上由第二膜形成的保护膜，并且气隙的开口宽度等于或大于形成于第一膜中的孔的开口宽度。本技术例如可以应用于其中层叠有多个布线层的半导体装置等。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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