[发明专利]溅射方法及溅射装置在审
| 申请号： | 201880084230.7 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111556905A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 藤井佳词;中村真也;野吕充则;桥本一义 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红;秦岩 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可尽量抑制在刚成膜后的基板表面上附着的细微粒子数的溅射方法及溅射装置。本发明的溅射方法，其在真空室(1)内设置碳材质的靶(Tg)和成膜对象物(Wf)，通过真空泵(Vp)将真空室内抽真空到规定压力后，向真空室内导入溅射气体，给靶施加电力并形成等离子体气氛，通过以等离子体中溅射气体的离子对靶进行溅射，从而使从靶飞散的碳粒子附着堆积在成膜对象物表面上，形成碳膜；至少在靶接收来自等离子体的辐射热期间，在通过与第一冷媒的热交换对靶进行冷却；控制所述第一冷媒的温度，使得第一冷媒的温度保持为263K以下的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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