[发明专利]检测质块偏移量补偿在审
申请号: | 201880084368.7 | 申请日: | 2018-10-24 |
公开(公告)号: | CN111512118A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | M·汤普森 | 申请(专利权)人: | 应美盛股份有限公司 |
主分类号: | G01C19/5712 | 分类号: | G01C19/5712;G01C19/5719;G01C19/5733;G01C19/574;G01P15/125 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 郭万方 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种微机电(MEMS)传感器包括位于MEMS层内并且相对于一个或多个电极定位的MEMS部件。多个检测质块位于MEMS层内并且在MEMS层内不彼此电耦合。第一检测质块和第二检测质块均相对于所述一个或多个电极中的至少一个公共电极而移动,使得可以感测每个检测质块相对于电极的相对位置。可以基于感测到的相对位置来确定感测到的参数。 | ||
搜索关键词: | 检测 偏移 补偿 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应美盛股份有限公司,未经应美盛股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880084368.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。