[发明专利]包括一种原子层沉积顺序的方法在审
| 申请号： | 201880084562.5 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111527585A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | J·A·斯迈思;金吴熙;S·乌伦布罗克 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种实例方法包括ALD顺序，所述ALD顺序包含使处于温度T1的外衬底表面与第一前驱物接触以使单层形成到所述外衬底表面上。使所述外衬底表面及其上的所述单层的温度升高到比所述温度T1的最大值大至少200℃的温度T2。所述升温具有用不超过10秒来使所述外衬底表面及其上的所述单层比所述最大温度T1高至少200℃的升温速率。在所述温度T2下，使所述单层与第二前驱物接触，所述第二前驱物与所述单层反应以形成各自包括来自所述单层的组分及来自所述第二前驱物的组分的反应产物及新外衬底表面。由于不允许所述单层比所述最大温度T1高至少200℃达10秒以上，因此使所述新外衬底表面的温度从所述温度T2减低到比所述温度T2的最小值低至少200℃的较低温度TL。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 一种 原子 沉积 顺序 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
