[发明专利]具有更强健读/写效能的自旋力矩转移磁性随机存取存储器散热器及磁性屏蔽结构设计有效
| 申请号： | 201880084802.1 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111587493B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 锺汤姆;杰斯明·哈克;邓忠建 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N30/85;G11C11/16;H10N59/00;H10N50/01 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 封装整合多个MTJ接面的STT‑MRAM装置以其能消散由重复读/写程序产生的热量且同时屏蔽邻近装置的外部磁场。另外，可建构封装层以降低已证明会影响DR/R及Hc的顶部引线应力。我们提供一种可同时解决所有此些问题的装置设计及其制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 强健 效能 自旋 力矩 转移 磁性 随机存取存储器 散热器 屏蔽 结构设计 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880084802.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：树脂组合物和软钎焊用助焊剂
- 下一篇：药物递送装置
