[发明专利]光掩模在审
| 申请号： | 201880085631.4 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111566559A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 奥村哲人;宫地宏昭 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/70 | 分类号： | G03F1/70;G03F7/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 戚宏梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光掩模，通过多透镜的连接部(J1～J4)的扫描曝光而转印的光掩模的图案的线宽、以及通过多透镜的非连接部(L1～L3)的扫描曝光而转印的光掩模的图案的线宽中的至少一方是对设计线宽进行了修正的线宽，进行了修正的线宽是在扫描方向、以及与扫描方向正交的方向中的至少一个方向上阶段性地变化的线宽，阶段性地变化的线宽包含基于随机数的修正成分(R)，随机数基于对正弦波进行了频率调制的波形，或者基于白噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凸版印刷株式会社，未经凸版印刷株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880085631.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电池
- 下一篇：由含钪精矿制造氧化钪的方法
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
