[发明专利]经修饰的配体门控的离子通道及使用方法在审
| 申请号： | 201880085703.5 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN111556751A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | S.斯坦森;C.马格努斯;P.李 | 申请（专利权）人： | 霍华休斯医学研究院 |
| 主分类号： | A61K31/439 | 分类号： | A61K31/439;A61K31/55;A61K31/551;A61K31/7088;A61K31/7105 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张文辉 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文件涉及用于调控配体门控离子通道(LGIC)活性的材料和方法。例如，提供了包含至少一个LGIC亚基的经修饰的LGIC，所述LGIC亚基具有经修饰的配体结合域(LBD)和/或经修饰的离子孔域(IPD)。还提供了可以结合并激活经修饰的LGIC的外源LGIC配体，以及调控跨哺乳动物细胞膜的离子转运的方法、调控哺乳动物中的细胞兴奋性的方法和治疗具有通道病的哺乳动物的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 修饰 门控 离子 通道 使用方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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