[发明专利]激光处理装置、激光处理方法和半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201880085876.7 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111630629A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 山口芳広;泽井美喜;谷川贞夫;佐塚祐贵;小林直之 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336;H01L21/677;H01L27/32;H01L29/786;H01L51/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明实施例的激光处理装置(1)包括：处理室(18)，用于对待处理物(40)执行激光处理；台架(10)，用于转移该待处理物(40)，且设置在处理室(18)内；以及控制单元(50)，将待处理物(40)在台架(10)上的放置位置指示给装载/卸载装置(30)，装载/卸载装置(30)被配置为将待处理物(40)装载入/卸载出处理室(18)。此外，处理室(18)包括用于装载待处理物(40)的装载门(17a)和用于卸载待处理物(40)的卸载门(17b)，并且待处理物(40)只在从装载门(17a)向卸载门(17b)的第一方向上被运送于台架(10)上。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 处理 装置 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
