[发明专利]功率半导体装置有效
| 申请号： | 201880086160.9 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111587528B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 露野円丈;宝藏寺裕之 | 申请（专利权）人： | 日立安斯泰莫株式会社 |
| 主分类号： | H02M7/48 | 分类号： | H02M7/48;H01L23/473;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提高功率半导体装置的可靠性。本发明为一种功率半导体装置，具备：半导体元件；第1端子及第2端子，所述第1端子及第2端子向所述半导体元件传输电流；第1基座及第2基座，所述第1基座及第2基座夹持所述第1端子的一部分、所述第2端子的一部分以及所述半导体元件且互相相对地配置；以及密封材料，其被设置于所述第1基座与所述第2基座之间的空间内，所述第2端子具有中间部，所述中间部以沿着从所述半导体元件离开的方向而使与所述第1端子的距离变大的方式形成，所述中间部设置于所述第1基座与所述第2基座之间并且设置于所述密封材料内。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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