[发明专利]可变电容器平带电压工程在审

专利信息
申请号: 201880086382.0 申请日: 2018-12-06
公开(公告)号: CN111656533A 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: F·A·马里诺;N·卡尼克;F·卡洛波兰蒂;P·梅内格利;Q·梁 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H01L29/93 分类号: H01L29/93;H01L29/94;H01L29/36;H01L29/165
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈炜;唐杰敏
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开的某些方面提供了半导体可变电容器。一个示例半导体可变电容器通常包括半导体区,绝缘层和第一非绝缘区,该绝缘层被布置在半导体区与第一非绝缘区之间。在某些方面,半导体可变电容器还可包括毗邻于半导体区布置的第二非绝缘区和毗邻于半导体区布置的第三非绝缘区,第二非绝缘区和第三非绝缘区具有不同掺杂类型。在某些方面,半导体可变电容器还可包括在半导体区与绝缘层之间布置的注入区。注入区可用于调整半导体可变电容器的平带电压。
搜索关键词: 可变电容器 电压 工程
【主权项】:
暂无信息
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