[发明专利]拒水性保护膜形成用化学溶液和晶片的表面处理方法有效
| 申请号： | 201880086426.X | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111630633B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 福井由季;照井贵阳;山田周平;奥村雄三;公文创一;盐田彩织;近藤克哉 | 申请（专利权）人： | 中央硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够进一步改善拒水性赋予效果的拒水性保护膜形成用化学溶液。本发明的拒水性保护膜形成用化学溶液具有(I)下述通式[1]所示的氨基硅烷化合物、(II)下述通式[2]所示的硅化合物和(III)非质子性溶剂，(I)的含量相对于(I)～(III)的总量为0.02～0.5质量％。 | ||
| 搜索关键词： | 水性 保护膜 形成 化学 溶液 晶片 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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