[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201880087237.4 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111656529A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 福崎勇三 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
这种半导体装置包括堆叠结构，其中沟道形成区层CH |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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