[发明专利]切割装置以及切割方法有效
申请号: | 201880088934.1 | 申请日: | 2018-11-09 |
公开(公告)号: | CN111699545B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 福家朋来;清水翼;西山真生 | 申请(专利权)人: | 株式会社东京精密 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;B24B27/06;B24B49/12 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 刘文海 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种切割装置(10),其在隔着切割带(T)将工件(W)保持于工作台(12)的状态下,使通过主轴(20)旋转的刀片(18)与工作台(18)相对移动来进行切割加工,该切割装置(10)具备:切削痕检测部(52),其检测在切割带(T)的未粘贴工件(W)的表面区域形成的切削痕的切削痕信息;以及控制部(56),其基于切削痕检测部(52)检测到的切削痕信息来控制刀片(18)的高度,以使向切割带(T)切入的切入深度恒定。 | ||
搜索关键词: | 切割 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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