[发明专利]通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法有效

专利信息
申请号: 201880088965.7 申请日: 2018-02-14
公开(公告)号: CN111699278B 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: M.明乔夫;J.登多文;C.德塔韦尼尔 申请(专利权)人: ASMIP私人控股有限公司;根特大学
主分类号: C23C16/02 分类号: C23C16/02;C23C16/04;C23C16/18;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/56;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01M4/92
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 焦玉恒
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了一种通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法。所述方法可以包含:使所述衬底与包括金属有机前体的第一气相反应物接触,所述金属有机前体包括选自由以下组成的群组的金属:铂、铝、钛、铋、锌和其组合。所述方法还可以包含:使所述衬底与包括四氧化钌的第二气相反应物接触,其中所述含钌膜包括钌‑铂合金或三元氧化钌中的至少一种。还公开了包含通过本发明的方法沉积的含钌膜的装置结构。
搜索关键词: 通过 循环 沉积 工艺 衬底 含钌膜 方法
【主权项】:
暂无信息
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