[发明专利]通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法有效
申请号: | 201880088965.7 | 申请日: | 2018-02-14 |
公开(公告)号: | CN111699278B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
发明(设计)人: | M.明乔夫;J.登多文;C.德塔韦尼尔 | 申请(专利权)人: | ASMIP私人控股有限公司;根特大学 |
主分类号: | C23C16/02 | 分类号: | C23C16/02;C23C16/04;C23C16/18;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/56;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01M4/92 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法。所述方法可以包含:使所述衬底与包括金属有机前体的第一气相反应物接触,所述金属有机前体包括选自由以下组成的群组的金属:铂、铝、钛、铋、锌和其组合。所述方法还可以包含:使所述衬底与包括四氧化钌的第二气相反应物接触,其中所述含钌膜包括钌‑铂合金或三元氧化钌中的至少一种。还公开了包含通过本发明的方法沉积的含钌膜的装置结构。 | ||
搜索关键词: | 通过 循环 沉积 工艺 衬底 含钌膜 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASMIP私人控股有限公司;根特大学,未经ASMIP私人控股有限公司;根特大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880088965.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:路线引导装置、路线引导方法以及存储介质
- 下一篇:用户终端以及无线通信方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的