[发明专利]高电子迁移率晶体管及用于制造高电子迁移率晶体管的方法有效
| 申请号： | 201880089353.X | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN111727507B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 张坤好;N·乔杜里 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L29/08;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括沟道半导体结构(160)，其包括层的堆叠体，该层的堆叠体按照层的材料的极化幅度的顺序布置在彼此顶部上，以在由堆叠体中各对层形成的异质结处形成多个载流子沟道。层的堆叠体包括第一层和第二层。第一层的极化幅度大于在堆叠体中布置在第一层下方的第二层的极化幅度，并且第一层的宽度小于第二层的宽度以形成沟道半导体结构的阶梯轮廓。HEMT包括包含重掺杂半导体材料的源极半导体结构(140)和包含重掺杂半导体材料的漏极半导体结构(150)。HEMT包括源极(110)、漏极(120)以及调制载流子沟道的导电率的栅极(130)。栅极具有阶梯形状，该阶梯形状具有跟踪沟道半导体结构的阶梯轮廓的踏面和竖直部。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
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