[发明专利]单片体形成装置及单片体形成方法在审
| 申请号： | 201880090381.3 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN111788659A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 杉下芳昭 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;敖莲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种能够在不向粘接片极力赋予张力的情况下使被粘物单片化而形成单片体的单片体形成装置，是使被粘物WF单片化而形成单片体CP的单片体形成装置EA，其具备：片粘贴单元10，其将添加有通过赋予规定的能量IR而膨胀的膨胀性微粒SG的粘接片AS粘贴于被粘物WF；改性部形成单元20，其在被粘物WF上形成改性部MT，并在被粘物WF上形成被该改性部MT围绕的单片化预定区域WFP；以及单片化单元30，其向被粘物WF赋予外力，以改性部MT为起点在该被粘物WF上形成裂缝CK，并使该被粘物WF单片化而形成单片体CP，单片化单元30对粘接片AS局部地赋予能量IR，使被赋予该能量IR的粘接片局部ASP中添加的膨胀性微粒SG膨胀，并使粘贴于该粘接片局部ASP的单片化预定区域WFP位移而形成单片体CP。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 体形 装置 成方 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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