[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法在审
| 申请号： | 201880090875.1 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111886677A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 太田乔;林昌之;奥田次郎;中岛章宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/027;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 日本京都府京都市上京区堀*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 基板处理装置(100)包括温度检测部(17)及控制部(30)。温度检测部(17)在预分配处理执行中的处理液的温度到达目标温度(Tt)之前，对处理液的温度进行检测。控制部(30)基于目标温度预测时间(tP)，来设定预分配处理中的处理液的喷出停止时间。目标温度预测时间(tP)是指处理液的温度自检测温度(Td)起到达目标温度(Tt)为止的预测时间。检测温度(Td)是指通过温度检测部(17)在到达目标温度(Tt)之前检测出的处理液的温度。目标温度预测时间(tP)是基于温度分布图(PF)而定。温度分布图(PF)是指过去依照预分配处理条件执行预分配处理时的处理液的温度的时间推移的记录。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
