[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序在审
| 申请号： | 201880091179.2 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN111868893A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 稻田哲明;立野秀人 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 具有容纳基板的处理室、将含有与金属反应的化合物的处理气体供给至处理室内的气体供给系统和对处理室内的气氛进行排气的气体排气系统；气体排气系统具有与处理室连通的共通排气配管、一端经由第一阀门与共通排气配管连接且由不与所述化合物反应的树脂构成的第一排气配管、一端经由第二阀门与共通排气配管连接且由金属构成的第二排气配管、与所述第一排气配管连接的第一排气装置和与所述第二排气配管连接的第二排气装置。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体 制造 方法 程序 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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