[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及静电屏蔽罩在审
| 申请号： | 201880091439.6 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN111868895A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 保井毅;舟木克典;坪田康寿;原田幸一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/318;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金成哲;郑毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供基板处理装置、半导体装置的制造方法及静电屏蔽罩，当在处理容器的内部对处理气体进行等离子体激励时，能够抑制发生相对于处理容器的内周面的溅射。静电屏蔽罩形成于处理容器的外周面与线圈之间。该静电屏蔽罩形成有：分隔部，其在线圈的周向上延伸，并对线圈的一部分与处理容器的外周面之间进行分隔；以及开口部，其在线圈的周向上延伸，并在线圈的另一部分与处理容器的外周面之间开口。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 半导体 制造 方法 静电屏蔽 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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