[发明专利]氧化物膜形成方法有效
申请号: | 201880091593.3 | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN111902564B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 龟田直人;三浦敏德 | 申请(专利权)人: | 株式会社明电舍 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/42;H01L21/316 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 刘强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了氧化物膜形成方法,包括向放置在减压处理炉(5)中的工件(7)供给臭氧浓度为20至100体积%的臭氧气体、不饱和烃气体和原料气体,由此通过化学气相沉积法在工件(7)的表面上形成氧化物膜。不饱和烃气体的实例是乙烯气体。原料气体的实例是TEOS气体。优选设定臭氧气体的流速为等于或大于不饱和烃气体和原料气体的总流速的两倍。通过这种氧化物膜形成方法,即使在200℃或更低的低温条件下以高沉积速率在工件(7)上也形成氧化物膜。 | ||
搜索关键词: | 氧化物 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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