[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置在审
| 申请号： | 201880091637.2 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN111937158A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 高桥哲平;井上徹人;菅井昭彦;望月孝;中村俊一 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置具有：半导体基板；第一导电型的漂移层；第二导电型的阱区；所述第二导电型的高浓度区域；所述第一导电型的源极区域；被设置在所述漂移层上的绝缘膜；经由设置在所述绝缘膜上的第一开口部来与所述源极区域及所述高浓度区域相接触的第一接触金属膜；被形成于所述第一接触金属膜的表面，并且经由设置在所述第一接触金属膜上的第二开口部来与所述高浓度区域相接触的第二接触金属膜；以及被形成于包含所述第一接触金属膜、所述第二接触金属膜的接触金属层的表面的源电极膜。其中，所述第一接触金属膜包含氮化钛，所述第二接触金属膜包含钛。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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