[发明专利]场效应型晶体管在审
| 申请号： | 201880092056.0 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN111937125A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 野上洋一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 场效应型晶体管具有在电子供给层(103、403)之上形成的栅极电极(108、408)、源极电极(104)、漏极电极(105)，并且具有：绝缘膜(106、407)，其包覆所述电子供给层(103、403)；以及所述绝缘膜的开口部(111、411)，其设置于形成所述栅极电极(108、408)的区域而具有梯形四棱柱状轮廓面，使所述栅极电极(108、408)与通过所述开口部(111、411)将所述电子供给层(103、403)露出的区域进行肖特基接合，并且使由所述开口部(111、411)所形成的梯形四棱柱状轮廓面相对于所述电子供给层(103、403)的表具有25度至75度的范围的倾斜角。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
