[发明专利]溅射靶以及溅射靶的制造方法有效
| 申请号： | 201880093408.4 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN112119178B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 下宿彰 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F1/12;C22C1/05;C22C19/07;C22C26/00;C22C38/00;C22C32/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够减少颗粒的产生，能够使磁性薄膜的成膜工序中的制造成品率提高的溅射靶及其制造方法。一种溅射靶，其具有Fe－Pt系合金相和非磁性相，以原子数比率计含有1～50at％的C，在XRD测定中具有源自金刚石的衍射峰。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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