[发明专利]具有温度传感器的功率半导体器件在审
| 申请号： | 201880094328.0 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN112219277A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 朱春林;V·苏雷什;伊恩·德文尼;王彦刚 | 申请（专利权）人： | 丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L23/34;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘瑜 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 我们在本文中描述了包括功率半导体器件部分(100)和温度感测器件部分(185)的高压半导体器件。温度感测器件部分包括：阳极区(140)；阴极区(150)；主体区(160)，在所述主体区(160)中形成阳极区和阴极区。温度感测器件部分还包括半导体隔离区(165)，在所述半导体隔离区(165)中形成主体区，所述半导体隔离区具有与主体区相反的导电类型，所述半导体隔离区形成在功率半导体器件部分和温度感测器件部分之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 温度传感器 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
