[发明专利]纳米制作中的占空比、深度和表面能控制有效

专利信息
申请号: 201880094597.7 申请日: 2018-07-17
公开(公告)号: CN112334290B 公开(公告)日: 2022-08-19
发明(设计)人: N·R·莫汗蒂;M·C·R·莱博维西 申请(专利权)人: 元平台技术有限公司
主分类号: B29C33/38 分类号: B29C33/38;B29C33/42;B29C33/56
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李春辉
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了用于制作倾斜表面浮雕结构的技术。在一些实施例中,一种用于制作诸如纳米压印光刻术(NIL)模具或倾斜表面浮雕光栅之类的目标倾斜表面浮雕结构的方法包括:制造包括多个脊部的初步表面浮雕结构,以及修改初步表面浮雕结构的参数,以制成目标倾斜表面浮雕结构。该参数包括多个脊部中的每个脊部的宽度、多个脊部中的每个脊部的高度、初步表面浮雕结构的表面能、或多个脊部的边缘的倾斜角。修改参数包括:在初步表面浮雕结构上沉积材料层,以及对材料层进行蚀刻或表面处理。
搜索关键词: 纳米 制作 中的 深度 表面 控制
【主权项】:
暂无信息
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