[发明专利]连接的场效应晶体管在审
| 申请号： | 201880097969.1 | 申请日： | 2018-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112703597A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | E·马丁;R·西西利;T·亚马施塔 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;B41J2/175 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 史婧;王玮 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 示例包括流体模具。流体模具包括场效应晶体管阵列，该阵列包括第一尺寸的场效应晶体管和第二尺寸的场效应晶体管。至少一个连接构件将场效应晶体管阵列的至少一些场效应晶体管互连。流体模具还包括连接到第一组场效应晶体管的第一流体致动器，该第一组场效应晶体管具有至少一个第一尺寸的场效应晶体管。模具包括第二流体致动器，该第二流体致动器连接到第二相应的场效应晶体管组，该第二相应的场效应晶体管组具有与阵列的至少一个其他场效应晶体管互连的第二尺寸的第一相应的场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 连接 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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