[发明专利]激光加工装置及其控制方法有效
申请号: | 201880099624.X | 申请日: | 2018-11-21 |
公开(公告)号: | CN113169057B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 岛贯隆;古谷田昌信;押田修平 | 申请(专利权)人: | 株式会社东京精密 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 佟胜男 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供能够简单地进行高精度的晶片的激光加工的激光加工装置及其控制方法。该激光加工装置具备:检测控制部,其检测晶片的多个分割预定线的位置;激光加工控制部,其基于由检测控制部得到的分割预定线的位置检测结果以及第一光轴与第二光轴的位置关系信息,来执行激光加工;拍摄控制部,其在使红外线拍摄光学系统的焦点对准晶片的与一面相反侧的另一面的状态下,使红外线拍摄光学系统执行对分割预定线进行的第二拍摄图像的拍摄;运算部,其基于位置关系信息和第二拍摄图像,来运算改性区域的形成位置的理论值与实测值的位置偏差;以及修正部,其基于运算部的运算结果,来修正位置关系信息,该激光加工装置将改性区域形成于在晶片的厚度方向上使焦点对准另一面的状态下的红外线拍摄光学系统的对焦范围内。 | ||
搜索关键词: | 激光 加工 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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