[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法以及电力变换装置在审
申请号: | 201880100426.0 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN113316844A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 梶勇辅;平松星纪 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/28;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 李今子 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 得到抑制由热应力引起的配部线材的接合部处的配部线材的剥离而提高可靠性的半导体装置。半导体装置具备:绝缘基板(3),在正面和背面设置有金属层(32、33);半导体元件(5),下表面接合于正面侧的金属层(32)上,在上表面具有电极(51);基体板(1),被接合到背面;壳体部件(8),与基体板(1)相接地包围绝缘基板(3);端子部件(7),设置于壳体部件(8)的内周侧;布线部件(6),连接端子部件(7)和半导体元件(5);金属薄膜部件(11),连续地覆盖用布线部件(6)连接的端子部件(7)的表面及电极(51)的表面和布线部件(6)的表面;以及填充部件(4),覆盖金属薄膜部件(11)的表面和从金属薄膜层(11)露出的绝缘基板(3)地填充到由基体板(1)和壳体部件(8)包围的区域。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 以及 电力 变换 | ||
【主权项】:
暂无信息
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