[发明专利]一体发光区大功率垂直腔面发射激光器在审
| 申请号： | 201910000401.X | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109326957A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 梁栋;霍铁杰;刘嵩 | 申请（专利权）人： | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 213000 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种一体发光区大功率垂直腔面发射激光器，包含：发射孔，发射孔内形成有隔离槽，将发射孔部分隔离以形成相连通的狭长发射区，隔离层中有绝缘层；导电层，填充于隔离槽中，且朝两侧延伸并与狭长发射区形成欧姆接触。本发明将大氧化孔径的垂直腔面发射激光器的发射孔隔离成狭长发射区，该狭长发射区与导电层接触，一方面增加了发射孔内的电流路径，可有效增加大氧化孔径的垂直腔面发射激光器的中部区域的电流密度，另一方面，电流可从导电层进行横向传播，大大提高了发光孔内的电流密度分布的均匀性，提高了转化效率。同时，大范围的保持了出射光的相干性。该发明可以应用在激光雷达、红外摄像头和深度识别探测器等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 发射孔 垂直腔面发射激光器 发射区 氧化孔径 导电层 发光区 隔离槽 绝缘层 电流密度分布 隔离 导电层接触 红外摄像头 电流路径 横向传播 激光雷达 两侧延伸 欧姆接触 深度识别 中部区域 转化效率 出射光 发光孔 隔离层 均匀性 相干性 探测器 填充 应用 | ||
【主权项】：
1.一种一体发光区大功率垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器包含：发射孔，所述发射孔内形成有隔离槽，所述隔离槽将所述发射孔部分隔离以形成狭长发射区，且所述狭长发射区相连通；绝缘层，形成于所述隔离槽的底部及侧壁；以及导电层，填充于所述隔离槽中，且所述导电层朝所述隔离槽的两侧延伸至所述狭长发射区并与所述狭长发射区形成欧姆接触。
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