[发明专利]垂直耦合型浅槽隔离共面光电探测器

摘要

垂直耦合型浅槽隔离共面光电探测器涉及半导体光电器件领域以及光互联领域，具体设计一种能够对空间通信及垂直入射光信号进行探测且具有高速性能的光电探测器。n型掺杂插指区，p型掺杂插指区是横向依次通过光刻离子注入在顶层硅中形成的掺杂区域，之间的间隙是垂直耦合光栅；光栅区，是在衬底p型和n型掺杂插指条区中间部分经过深紫外光刻后采用干法刻蚀技术，形成的与掺杂条区平行的周期性刻蚀浅槽，构成垂直耦合光栅结构；浅槽光栅的宽度小于入射波长，对垂直入射的光形成衍射效应，周期的光栅形成衍射叠加，将光能量的传播方向由垂直转化为水平方向，提高光吸收能量；离子注入浓度峰值的深度要求大于光栅刻蚀深度30到60nm。

主权项

1.一种垂直耦合型浅槽隔离共面光电探测器结构，其特征在于，包括n+欧姆接触电极(101)、p+欧姆接触电极(102)、n型掺杂插指区(103)、p型掺杂插指区(104)、本征吸收区(105)、衬底层(106)，光栅区(107)，所述n型掺杂插指区(103)，p型掺杂插指区(104)是横向依次通过光刻离子注入在顶层硅中形成的掺杂区域，之间的间隙是垂直耦合光栅(105)；所述n+欧姆接触电极(101)和p+欧姆接触电极(102)分别是对应溅射在两侧的n型掺杂插指区(103)，p型掺杂插指区(104)之上作为电极；所述光栅区(107)，是在衬底p型和n型掺杂插指条区中间部分经过深紫外光刻后采用干法刻蚀技术，形成的与掺杂条区平行的周期性刻蚀浅槽，构成垂直耦合光栅结构；浅槽光栅的宽度小于入射波长，对垂直入射的光形成衍射效应，周期的光栅形成衍射叠加，将光能量的传播方向由垂直转化为水平方向，提高光吸收能量；离子注入浓度峰值的深度要求大于光栅刻蚀深度30到60nm。