[发明专利]阵列基板及制作方法、显示面板有效
| 申请号： | 201910001472.1 | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109727921B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 关峰;袁广才;许晨 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了阵列基板及制作方法、显示面板。该方法包括：提供基板，所述基板上限定有显示区，以及沿着所述显示区对称设置的第一周边电路区和第二周边电路区；以及在所述基板的所述第一周边电路区以及所述第二周边电路区设置薄膜晶体管，所述设置薄膜晶体管的步骤包括：在所述第一周边电路区以及所述第二周边电路区设置非晶硅层，对所述非晶硅层进行退火处理，以形成多晶硅层，其中，应用于所述第一周边电路区的退火掩膜版，与应用于所述第二周边电路区的退火掩膜版相同。由此，第一周边电路区与第二周边电路区使用相同的退火掩膜版，可以减少退火掩膜版的更换次数，降低制备难度，提高工作效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种制作阵列基板的方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板上限定有显示区，以及沿着所述显示区对称设置的第一周边电路区和第二周边电路区；以及在所述基板的所述第一周边电路区以及所述第二周边电路区设置薄膜晶体管，所述设置薄膜晶体管的步骤包括：在所述第一周边电路区以及所述第二周边电路区设置非晶硅层，对所述非晶硅层进行退火处理，以形成多晶硅层，其中，应用于所述第一周边电路区的退火掩膜版，与应用于所述第二周边电路区的退火掩膜版相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
