[发明专利]一种稀土掺杂半导体纳米晶的水相合成方法在审
| 申请号： | 201910001596.X | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109575921A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 高俊芳;杨峻宏 | 申请（专利权）人： | 内蒙古科技大学包头师范学院 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京中慧创科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11721 | 代理人： | 由元 |
| 地址： | 014000 内蒙古自治区包头*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种稀土掺杂半导体纳米晶的水相合成方法，其特征在于，采用水相法合成CdX:Y纳米晶，其中X为元素Se或Te，Y为稀土元素Sm或稀土元素Eu，具体为配制含有Cd源、Sm源/Eu源以及稳定剂的混合溶液，将所述混合溶液的pH值调节至8‑9.5，在氮气氛围下向所述混合液中注入NaHSe/NaHTe溶液，加热完成反应，从反应液中分离得到纳米晶。本发明所述的稀土掺杂半导体纳米晶的水相合成方法，合成的纳米晶具有分散性好，结晶优良，发光效率高的特点。本发明的水相合成方法中采用的巯基稳定剂合成的纳米晶具有成本低、重复性好和易操作等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 水相合成 纳米晶 半导体纳米晶 稀土掺杂 混合溶液 稀土元素 合成 水相法合成 巯基稳定剂 氮气氛围 发光效率 分散性好 混合液 稳定剂 加热 配制 | ||
【主权项】：
1.一种稀土掺杂半导体纳米晶的水相合成方法，其特征在于，采用水相法合成CdX:Y纳米晶，其中X为元素Se或Te，Y为稀土元素Sm或稀土元素Eu，具体为配制含有Cd源、Sm源/Eu源以及稳定剂的混合溶液，将所述混合溶液的pH值调节至8‑9.5，在氮气氛围下向所述混合液中注入NaHSe/NaHTe溶液，加热完成反应，从反应液中分离得到纳米晶。
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