[发明专利]一种SiC单晶片磨抛方法有效
| 申请号： | 201910001876.0 | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109702639B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 王瑞;梁庆瑞;王含冠 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/08 | 分类号： | B24B37/08;B24B57/02 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 陈曦 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种SiC单晶片磨抛方法，包括对SiC切割片依次进行研磨得到预抛光晶片和对预抛光晶片进行抛光得到SiC单晶片的过程，在研磨过程中，所述研磨用水基研磨液通过将初始研磨液对SiC切割片进行预研磨并满足第一条件得到；在抛光过程中，所述抛光用水基抛光液通过将预抛光晶片进行预抛光并满足第二条件后得到。通过本申请制备的SiC单晶片，可以明显降低SiC单晶片表面的损伤和划痕，获得高质量的SiC单晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC单晶片磨抛方法，包括对SiC切割片依次进行研磨得到预抛光晶片和对预抛光晶片进行抛光得到SiC单晶片的过程，其特征在于：在研磨过程中，所述研磨用水基研磨液通过将初始研磨液对SiC切割片进行预研磨并满足第一条件得到；在抛光过程中，所述抛光用水基抛光液通过将预抛光晶片进行预抛光并满足第二条件后处理得到。
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