[发明专利]一种基于自对准工艺的AlGan/GaN HEMT器件结构及制作方法

摘要

本发明提出一种基于自对准工艺的AlGan/GaN HEMT器件制作方法，包括如下步骤：清洗晶圆后，通过MOCVD在硅基上淀积中间缓冲层和GaN，AlGaN和p‑GaN；通过PVD及LPCVD过程淀积Mo作为栅金属，Ni和SiO_x作为刻蚀保护层；通过PECVD淀积AlO_x作为侧墙封包栅金属Mo；通过BCl₃/Ar的ICP‑RIE刻蚀工艺去除多余的AlO_x；通过Cl₂/N₂/O₂的ICP‑RIE工艺选择性刻蚀p‑GaN；PVD淀积和退火过程形成源极和漏极的欧姆接触，通过BOE去除SiO_x和AlO_x，并采用PECVD方法淀积SiN_x介质层，完成器件制作。由于整个器件制作方法中使用的工艺和条件均和S_iCMOS工艺兼容，并且工艺复杂度低，可操作性强，很好的协调了器件性能和工艺复杂度之间的矛盾。

主权项

1.一种基于自对准工艺的AlGan/GaN HEMT器件制作方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：清洗晶圆后，通过MOCVD在硅基上淀积GaN和中间缓冲层AlGaN和p‑GaN；通过PVD及LPCVD过程淀积Mo作为栅金属，Ni和SiO_x作为刻蚀保护层；步骤2：通过PECVD淀积AlO_x作为侧墙封包栅金属Mo；步骤3：通过BCl₃/Ar的ICP‑RIE刻蚀工艺去除多余的AlO_x；步骤4：通过Cl₂/N₂/O₂的ICP‑RIE工艺选择性刻蚀p‑GaN；步骤5：PVD淀积和退火过程形成源极和漏极的欧姆接触，通过BOE去除SiO_x和AlO_x，并采用PECVD方法淀积SiN_x介质层，完成器件制作。