[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置在审
| 申请号： | 201910002593.8 | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109728050A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王国英;宋振 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，所述阵列基板内置了感光传感器，实时检测像素的实际发光亮度，从而实时地对设置阵列基板的显示面板进行亮度补偿，以提高显示面板亮度的均一性。该阵列基板包括衬底基板，位于所述衬底基板上的第一薄膜晶体管，以及与所述第一薄膜晶体管连接的感光传感器；其中，所述感光传感器位于所述第一薄膜晶体管的漏极之上且与所述漏极电连接；所述第一薄膜晶体管的导电沟道之上具有金属通过阳极氧化处理形成的绝缘介质部。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列基板 薄膜晶体管 显示面板 感光传感器 衬底基板 显示装置 漏极 制备 阳极氧化处理 导电沟道 绝缘介质 亮度补偿 实时检测 电连接 均一性 内置 像素 发光 金属 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的第一薄膜晶体管，以及与所述第一薄膜晶体管连接的感光传感器；其中，所述感光传感器位于所述第一薄膜晶体管的漏极之上且与所述漏极电连接；所述第一薄膜晶体管的导电沟道之上具有金属通过阳极氧化处理形成的绝缘介质部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
