[发明专利]一种基于二维层状材料的雪崩场效应晶体管及测量装置有效
| 申请号： | 201910003119.7 | 申请日： | 2019-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109755307B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 缪峰;王肖沐;高安远 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/06;G01R31/26 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210008 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二维层状材料的雪崩场效应晶体管及测量装置，晶体管包括绝缘层、金属电极层、二维材料薄膜层、二维材料薄膜层和二维材料薄膜层；金属电极层包括漏电极层，源电极层和栅电极层；二维材料薄膜层和二维材料薄膜层铺设在绝缘层上，二维材料薄膜层位于两者堆叠部位之间，源电极层覆盖在二维材料薄膜层的非堆叠部位，漏电极层覆盖在堆叠部位上方或者二维材料薄膜层的非堆叠部位，栅电极层与绝缘层连接。本发明测量装置，包括前述基于二维层状材料的雪崩场效应晶体管、电压源及电流表。本发明的晶体管降低了场效应晶体管的亚阈值摆幅＜1mV/dec，实现低功耗，此外，减小器件尺寸，提高器件稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 层状 材料 雪崩 场效应 晶体管 测量 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基于二维层状材料的雪崩场效应晶体管，其特征在于：包括绝缘层(2)、金属电极层、第一二维材料薄膜层(4)、第二二维材料薄膜层(5)和第三二维材料薄膜层(6)；金属电极层包括漏电极层(31)、源电极层(32)和栅电极层(33)；第一二维材料薄膜层(4)和第三二维材料薄膜层(6)铺设在绝缘层(2)上，第二二维材料薄膜层(5)位于两者堆叠部位之间，源电极层(32)覆盖在第一二维材料薄膜层(4)的非堆叠部位，漏电极层(31)覆盖在堆叠部位上方或者第三二维材料薄膜层(6)的非堆叠部位，栅电极层(33)与绝缘层(2)连接。
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