[发明专利]晶体横向生长设备及晶体横向生长方法在审
申请号: | 201910003186.9 | 申请日: | 2019-01-03 |
公开(公告)号: | CN109487330A | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 杨建春 | 申请(专利权)人: | 无锡翌波晶体材料有限公司 |
主分类号: | C30B11/02 | 分类号: | C30B11/02;C30B29/16 |
代理公司: | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人: | 李猛 |
地址: | 214000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶体横向生长设备及晶体横向生长方法,该晶体横向生长设备包括:炉体、第一保温层、第二保温层、高温区、发热体、导车和坩埚,炉体内设置有第一保温层和第二保温层,导车置于第一保温层和第二保温层之间,第一保温层和第二保温层上均设置有高温区,高温区的中心均设置有发热体,坩埚装于导车中。该晶体横向生长方法包括以下步骤:将生长晶体所需的原料混合后填入坩埚中,然后将坩埚放入导车中,由导车将坩埚由低温区移入高温区;原料融化变成液体,达到最大的液化状态,再慢慢移出高温区,液体慢慢按所需的晶格进行排列组合固化,生成晶体。本发明解决了晶体生长中底部压力过大,坩埚难以承受从而导致坩埚变形漏液的情况。 | ||
搜索关键词: | 保温层 坩埚 晶体横向 高温区 生长设备 生长 发热体 晶体生长 排列组合 液化状态 原料混合 低温区 放入 晶格 漏液 炉体 填入 移出 移入 固化 变形 融化 体内 | ||
【主权项】:
1.一种晶体横向生长设备,其特征在于,包括:炉体、第一保温层、第二保温层、高温区、发热体、导车和坩埚,所述的炉体内从上往下依次设置有第一保温层和第二保温层,所述的导车置于第一保温层和第二保温层之间,所述的第一保温层底部的中间区域为高温区,高温区的中心设置有发热体,所述的第二保温层顶部的中间区域为高温区,高温区的中心设置有发热体,所述的坩埚装于导车中。
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