[发明专利]硅片切割保护液及其制备方法、硅片切割方法在审
| 申请号： | 201910004588.0 | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN109679757A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 陈鹏;王许辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C10M173/02 | 分类号： | C10M173/02;B28D5/02;C10N30/04 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;陈丽丽 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种硅片切割保护液及其制备方法、硅片切割方法。所述硅片切割保护液，包括去离子水以及溶解于所述去离子水中的分散剂和/或非离子型表面活性剂。本发明减少了静电对硅片造成的损伤，提高了半导体产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片切割 保护液 去离子水 制备 非离子型表面活性剂 半导体制造技术 半导体产品 静电 分散剂 硅片 良率 溶解 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种硅片切割保护液，其特征在于，包括：去离子水；分散剂和/或非离子型表面活性剂，溶解于所述去离子水中。
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