[发明专利]减薄硅片的方法有效
| 申请号： | 201910005003.7 | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111403261B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 刘峰松;吴正泉 | 申请（专利权）人： | 上海积塔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;罗朗 |
| 地址： | 200131 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减薄硅片的方法，包括钝化层光刻和钝化层刻蚀步骤，所述钝化层光刻步骤中钝化层光罩版上对应硅片表面的划片道区域的部分定义为不可透光，以使所述钝化层刻蚀步骤中所述硅片表面的划片道区域覆盖光刻胶；所述光刻胶用于阻止所述硅片表面的划片道区域在所述钝化层刻蚀过程中被刻蚀。由此增加了钝化层刻蚀步骤后硅片表面上网格状的划片道区域的钝化层的厚度，增加了硅片的表面张力，进而平衡减薄后的硅片应力，有效地降低了减薄后硅片的翘曲度，满足后续生产的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
