[发明专利]一种太赫兹辐射源及其制备方法有效
| 申请号： | 201910005118.6 | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN109962396B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 华平壤;徐庆东 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太赫兹辐射源及其制备方法，包含内嵌的周期极化铌酸锂芯层(4)和复合微带线结构，复合微带线结构自下向上包括硅基底(1)、下层金膜(2)、苯环丁烷(benzocyclobutene BCB)有机高分子材料包层(3)和两端侧壁金电极(5)及上层金电极(6)。本发明有益效果包括：(1)被束缚在微带线结构中的太赫兹波，降低了铌酸锂材料对太赫兹的吸收，从而实现毫瓦量级太赫兹辐射源，显著提高光整流产生的太赫兹辐射源输出功率；(2)复合微带线结构使得太赫兹波能够以低损耗系数在该复合结构中不断产生并传播；在端面实现更高的输出太赫兹能量，实际应用中更灵活；可进而发展成为集太赫兹源、波导、检测为一体的高集成度太赫兹有源器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 辐射源 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太赫兹辐射源，包含内嵌的周期极化铌酸锂芯层(4)和复合微带线结构，所述周期极化铌酸锂芯层(4)为脊型；其特征在于，所述复合微带线结构自下向上包括硅基底(1)、下层金膜(2)、有机高分子材料包层(3)和两端侧壁金电极(5)及上层金电极(6)；其中：所述周期极化铌酸锂芯层(4)作为泵浦光传输通道，由于光整流效应泵浦光在此通道内激发出太赫兹波，太赫兹波在周期极化铌酸锂芯层(4)中辐射出来，从而降低相关器件的传输损耗；所述复合微带线结构作为太赫兹波传输线，其中下层金膜(2)作为导体板、所述有机高分子材料包层(3)作为介质基片和上层金电极(6)作为导体带三部分；所述两端侧壁金电极(5)控制光波的输入与输出，增大耦合效率，使得太赫兹模场在复合微带线结构中传输。
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