[发明专利]光刻胶图形及其形成方法有效
| 申请号： | 201910005475.2 | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111403270B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;陈卓凡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光刻胶图形及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成初始光刻胶图形层，包括图形密集区和图形稀疏区；对初始光刻胶图形层进行至少一次蚀刻前预处理，形成光刻胶图形层，蚀刻前预处理的步骤包括：形成附着在初始光刻胶图形层表面的修整层；对表面附着有修整层的初始光刻胶图形层进行修整处理，以减小初始光刻胶图形层的侧壁与基底表面之间的角度；或者，蚀刻前预处理的步骤包括：对表面附着有修整层的初始光刻胶图形层进行修整处理以减小初始光刻胶图形层侧壁与基底表面之间的角度；形成附着在剩余初始光刻胶图形层表面的修整层。本发明实施例有利于提高图形密集区和图形稀疏区上关键尺寸的一致性、提高图形转移的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 图形 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
