[发明专利]具有电子迁移率的化合物及其制备方法、有机场效应器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910005795.8 申请日: 2019-01-03
公开(公告)号: CN109678877A 公开(公告)日: 2019-04-26
发明(设计)人: 张浩力;刘端武;林泽威;许主国;师自法 申请(专利权)人: 兰州大学
主分类号: C07D495/04 分类号: C07D495/04;H01L51/30
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 李佳
地址: 730030 甘肃*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了具有电子迁移率的化合物及其制备方法、有机场效应器件及其制备方法,涉及有机场效应晶体管材料技术领域。具有电子迁移率的化合物,提供了一类新型化合物,具有不错的电子迁移率,且制备方法简便易行。具有电子迁移率的化合物的制备方法通过噻吩硼酸取代物和2,5‑二溴苯‑1,4‑二酸二酯在钯催化剂存在的条件下反应,然后将反应物中的有机相分离得到中间产物;将中间产物依次经过水解、分离、脱水缩合得到产品。采用简单易得的原料,经简便的合成步骤制备而得,相较于传统的有机薄膜场效应晶体管具有不错的电子迁移率,可以用于制备有机场效应器件,克服了传统有机半导体材料合成步骤繁琐和电子迁移率低的问题。
搜索关键词: 电子迁移率 制备 效应器 有机场 合成步骤 有机薄膜场效应晶体管 有机场效应晶体管 有机半导体材料 材料技术领域 新型化合物 有机相分离 二酸二酯 脱水缩合 噻吩硼酸 钯催化剂 传统的 二溴苯 反应物 取代物 水解
【主权项】:
1.一种具有电子迁移率的化合物,其特征在于,其结构为:其中,R1为Cl、F或CN,R2为Cl、F、CN或CF3;优选地,R1和R2均为Cl。
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