[发明专利]一种电压注入型SiC MOSFET有源驱动电路有效
| 申请号： | 201910005806.2 | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN109818599B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李虹;蒋艳锋;冯超;杨志昌;赵星冉 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | H03K17/081 | 分类号： | H03K17/081 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 100044*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电压注入型SiC MOSFET有源驱动电路，包括：驱动推挽电路、驱动电阻、采样电路、脉冲产生电路和驱动电压补偿电路，其中，采样电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容，脉冲产生电路包括第一比较器、第二比较器，第一逻辑与门，驱动电压补偿电路包括第五电阻、第六电阻，第一开关管，第二开关管，第一二极管。本发明实施例的有源驱动电路通过采样电路检测驱动脉冲使得脉冲产生电路在SiC MOSFET关断过程的漏极电流下降阶段产生补偿信号，经过驱动电压补偿电路，对门极电压进行补偿，以抬升门极电压，抑制电流的变化率，从而抑制SiC MOSFET两端的电压尖峰和振荡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 注入 sic mosfet 有源 驱动 电路 | ||
【主权项】：
1.一种电压注入型SiC MOSFET有源驱动电路，其特征在于，包括：驱动推挽电路、驱动电阻、采样电路、脉冲产生电路和驱动电压补偿电路。
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